2Т808А
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения.
Корпус транзисторов 2Т808А, КТ808А металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Транзистор 2Т808А-2 - бескорпусный на металлической молибденовой подложке с защитным покрытием и гибкими выводами.
Масса транзисторов 2Т808А, КТ808А (без накидного фланца) не более 22 г,
Тип корпуса: КТЮ-3-20.
Технические условия: Ге3.365.020 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т808А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 7,2 мГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 120 (250 имп.) В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (120В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 50;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 500 пФ
Технические характеристики транзисторов 2Т808А, КТ808А:
Тип
транзистора
Структура
Предельные значения параметров при Тп=25°С
Значения параметров при Тп=25°С
TП
max
Т
max
IК
max
IК. И.
max
UКЭR max
(UКЭ0 max)
UКБ0 max
UЭБ0 max
РК max
(РК. Т. max)
h21Э
UКЭ
нас.
IКБО
IЭБО
f гp.
КШ
СК
СЭ
А
А
В
В
В
Вт
В
мА
мА
МГц
дБ
пФ
пФ
°С
°С
2Т808А
n-p-n
10
15
120
-
4
5 (50)
15…50
-
3
15
>7,2
-
500
-
150
-60…+125
КТ808А
n-p-n
10
15
120
-
4
5 (50)
15…50
-
3
15
>7,2
-
500
-
150
-60…+125
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
Каталог
