30 лет мы работаем для разработчиков, изготовителей и ремонтников электроники
Практические занятия робототехника. Конструктор ROBOT BIN CLASSIC

Методы оплаты Методы оплаты
Покупайте товар со скидкой, выбирая эти формы оплаты!
Прайс-листы DESSY.RU для скачивания
Партнерская программа
Наши акции
 
Архив новостей Архив новостей
Новости Новости!
Распечатать
Код товара: STR0082    

Модуль RI020. Прибор для качественной оценки радиокомпонентов Транзистор тестер - М2

Бренд: KitLab
Нам очень жаль, но ТОВАРА НЕТ В НАЛИЧИИ! Когда он появится - мы автоматически Вас известим об этом, стоит только прописать свой email в системе уведомления, нажав на текст Уведомить о товаре.

Уведомление о появлении товара на складе

При появлении на нашем складе данного товара, на указанный вами адрес будет выслано уведомление

Модуль RI020. Прибор для качественной оценки радиокомпонентов Транзистор тестер - М2

Обратите внимание на близкий
по назначению товар:


FNiRSi LCR-T4 SMD транзистор-тестер с разъемом

FNiRSi LCR-T4 SMD транзистор-тестер с разъемом "крона"

Набор VDG011 Измеритель емкости и последовательного эквивалентного сопротивления электролитических конденсаторов - C/ESR-meter

Набор VDG011 Измеритель емкости и последовательного эквивалентного сопротивления электролитических конденсаторов - C/ESR-meter

FNiRSi LCR-T4 SMD транзистор-тестер с отсеком для

FNiRSi LCR-T4 SMD транзистор-тестер с отсеком для "кроны"

Прибор для оценки качества электронных компонентов.
Расширенная, русифицированная версия прибора.


Назначение:

Прибор "Транзистор Тестер - М2" позволяет быстро оценивать основные параметры электронных компонентов, автоматически распознаёт электронные компоненты:
Транзисторы, резисторы, конденсаторы, индуктивности, диоды, тиристоры, симисторы, светодиоды, диодные сборки и т.д,
А также, за считанные секунды автоматически определяет их цоколевку с указанием расположения выводов.
Результаты тестирования выводятся на графический ЖК индикатор с подсветкой.

"Транзистор тестер - М2" питается от батарейки "Kpoнa", напряжением 9 вольт.
При кратковременном нажатии на кнопку:

  • Прибор "просыпается".
  • Тестирует компонент, установленный в панельку.
  • Распознаёт компонент и выводит его параметры и расположение выводов на дисплей.
  • Через 15 секунд, прибор "Транзистор Тестер - М2" гасит подсветку дисплея и "засыпает".

Выключатель питания не предусмотрен.
Прибор в режиме "сна" потребляет ничтожно малый ток (несколько микроампер) и постоянно готов к работе.
Просто нажмите кнопку, и "Транзистор Тестер - М2" проверит следующий компонент.

Внимание!

При испытании электролитических конденсаторов, перед установкой конденсатора в панель прибора, разрядите конденсатор, кратковременно замкнув его выводы.

Прибор чувствителен к питанию, используйте новую, качественную "крону".


Основные функциональные отличия версий прибора:

Параметр / Модель прибора Китайский клон "LCR-T4" (2.07) "Транзистор Тестер" (7.15R и 7.16R) "Транзистор Тестер - М" (7.17R) "Транзистор Тестер - М2" (7.18R)
Транзисторы биполярные, полевые, 2 параметра биполярные, полевые, до 6 параметров биполярные, полевые, до 6 параметров биполярные, полевые, до 6 параметров
Конденсаторы:
Измерение емкости.
40 пФ ... 100000 мкФ * 40 пФ ... 100000 мкФ * 1 пФ ... 100000 мкФ 1 пФ ... 100000 мкФ
Конденсаторы:
Измерение ESR.
автоматически, от 0,1 мкФ автоматически, от 0,1 мкФ автоматически, от 0,1 мкФ автоматически, от 0,1 мкФ
Конденсаторы:
Измерение потерь (Vloss).
автоматически, от 0,1 мкФ автоматически, от 0,1 мкФ автоматически, от 0,1 мкФ автоматически, от 0,1 мкФ
Резисторы 0 Ом ... 50 МОм 0 Ом ... 50 МОм 0 Ом ... 50 МОм 0 Ом ... 50 МОм
Резисторы переменные (3 выв) 0 Ом ... 50 МОм 0 Ом ... 50 МОм 0 Ом ... 50 МОм 0 Ом ... 50 МОм
Индуктивности 10 мкГн ... 20 Гн
(при R<2,1 кОм) **
10 мкГн ... 20 Гн
(при R<2,1 кОм) **
10 мкГн ... 20 Гн
(при R<2,1 кОм) **
10 мкГн ... 20 Гн
(при R<2,1 кОм) **
Диоды +++ +++ +++ +++
Диодные сборки +++ +++ +++ +++
Светодиоды +++ +++ +++ +++
Тиристоры +++ +++ +++ +++
Симисторы +++ +++ +++ +++
Светодиоды +++ +++ +++ +++
Генератор частот:
--- --- Меандр, 21 фиксированная частота:
1 Гц; 10 Гц; 50 Гц; 100 Гц; 250 Гц; 439 Гц; 441 Гц; 443 Гц; 1 кГц; 2,5 кГц; 5 кГц; 10 кГц; 25 кГц; 50 кГц; 100 кГц; 153,8462 кГц; 250 кГц; 500 кГц; 1 МГц; 1,33-n МГц; 2 МГц. ***
Меандр, 21 фиксированная частота:
1 Гц; 10 Гц; 50 Гц; 100 Гц; 250 Гц; 439 Гц; 441 Гц; 443 Гц; 1 кГц; 2,5 кГц; 5 кГц; 10 кГц; 25 кГц; 50 кГц; 100 кГц; 153,8462 кГц; 250 кГц; 500 кГц; 1 МГц; 1,33-n МГц; 2 МГц. ***
Генератор PWM (ШИМ) --- --- Меандр, частота 7,812 кГц;
заполнение от 0% до 100% ШИМ ****
Меандр, частота 7,812 кГц;
заполнение от 0% до 100% ШИМ ****
Русификация --- +++ +++ +++
Регулировка контраста ЖКИ ? --- +++ +++
Питание схемы прибора Стабилизатор 78L05 Стабилизатор 78L05 Стабилизатор 78L05 LDO AMS1117-5,0v
Питание ЖКИ С нарушением спецификации,
повышенным напряжением.
Безопасное. Безопасное. Выделенный LDO 3,3v
Крепление стекла ЖКИ Липким слоем. + Дополнительная фиксация. + Дополнительная фиксация. + Дополнительная фиксация.
Защита ЖКИ при транспортировке. ? + Защитная пленка. + Защитная пленка. + Защитная пленка.
Сервисный Центр в России. ? г. Москва г. Москва г. Москва

Примечания:
* Измерение конденсаторов менее 40 пФ возможно, при включении параллельно с дополнительным эталонным конденсатором 100 пФ.
** Измерение индуктивностей менее 10 мкГн возможно, при включении последовательно с дополнительной эталонной индуктивностью 100 мкГн.
*** Меандр, скважность =2, на тестовом выводе "2". Подключать через конденсатор не более 680 пФ.
**** Меандр, частота 7,812 кГц, на тестовом выводе "2". Избегайте перегрузки этого контакта по току, более 20 мА.

Список и значение параметров, измеряемых прибором "Транзистор Тестером - М2" (7.18R):

NPN*Транзистор: hFE - коэффициент усиления транзистора по току в схеме с общим эмиттером. Отношение тока базы к току коллектора.
Ie - ток эмиттера, при котором производилось измерение.
Ube - прямое напряжение перехода База-Эмиттер. Напряжение открывания транзистора.
Uf - при наличии защитного диода - напряжение диодного перехода в прямом направлении.
PNP*Транзистор: hFE - коэффициент усиления транзистора по току в схеме с общим эмиттером. Отношение тока базы к току коллектора.
- ток коллектора, при котором производилось измерение.
Ube - прямое напряжение перехода База-Эмиттер. Напряжение открывания транзистора.
Uf - при наличии защитного диода - напряжение диодного перехода в прямом направлении.
N-JFET - полевой транзистор
с неизолированным затвором.
Id - ток истока в mA(миллиАмперах) @(при) Vg - напряжении затвора в V(в Вольтах).
Uf - при наличии защитного диода - напряжение диодного перехода в прямом направлении.
P-JFET - полевой транзистор
с неизолированным затвором.
Id - ток истока в mA(миллиАмперах) @(при) Vg - напряжении затвора в V(в Вольтах).
Uf - при наличии защитного диода - напряжение диодного перехода в прямом направлении.
N-E-MOS - N-канальный полевой
транзистор с изолированным затвором.
Vt - напряжение открывания перехода.
Cg - ёмкость затвора, pF(пикоФарады), nF(наноФарады)
RDS - прямое сопротивление открытого канала D(Drain/Сток) - S(Source/Исток), выражается в Омах или долях Ома.
Uf - при наличии защитного диода - напряжение диодного перехода в прямом направлении.
P-E-MOS - P-канальный полевой
транзистор с изолированным затвором.
Vt - напряжение открывания перехода.
Cg - ёмкость затвора, pF(пикоФарады), nF(наноФарады)
RDS - прямое сопротивление открытого канала D(Drain/Сток) - S(Source/Исток), выражается в Омах или долях Ома.
Uf - при наличии защитного диода - напряжение диодного перехода в прямом направлении.
Резисторы: Сопротивление в Омах, КилоОмах или МегаОмах.
Конденсаторы: Ёмкость конденсатора в pF(пикоФарадах), nF(наноФарадах), uF(микроФарадах)
ESR - Эквивалентное Последовательное Сопротивление (ЭПС) конденсатора в Омах, или долях Ома.
Vloss - специфический параметр, отображающий процент падения напряжения на обкладках конденсатора, после снятия импульса разяда. Позволяет быстро оценить качество диэлектрика (утечку тока).
Катушки индуктивности: При измерении катушек индуктивности, два параметра в одну строку.
Первый параметр: сопротивление постоянному току, значение в Омах.
Второй параметр: индуктивность в mH (миллиГенри).
Диоды: Uf - напряжение диодного перехода в прямом направлении.
С - ёмкость диодного перехода в pF(пикоФарадах), nF(наноФарадах).
Ir - обратный ток утечки диодного перехода, в nA(наноАмперах), uA(микроАмперах), mA(миллиАмперах).
Светодиоды: Uf - напряжение диодного перехода в прямом направлении.
С - ёмкость диодного перехода в pF(пикоФарадах), nF(наноФарадах).
Ir - обратный ток утечки диодного перехода, в nA(наноАмперах), uA(микроАмперах), mA(миллиАмперах).

Меню расширенных функций для "Транзистор Тестер - М" (7.17R) и "Транзистор Тестер - М2" (7.18R):

1. Освободите панельку "Транзистор Тестер - М2" от деталей.
2. Нажмите кнопку, и дождитесь сообщения: "Отсутствует или поврежденная деталь?".
3. Нажмите и удерживайте кнопку до появления расширенного меню на дисплее.
На экране, помимо меню, в нижней строке, имеются подсказки.
Короткое нажатие на кнопку - перебор функций по кольцу.
Удержание нажатой кнопки - выбор функции.

Для запуска генератора частот - выберите эту функцию (указатель">" указывает на выбираемую функцию).
Для запуска генератора частот, нажмите и удерживайте кнопку.
После запуска генератора частот, на экран будет выведено меню выбора частот.
Генерируемая частота (меандр), снимается со 2-го контакта панельки прибора.
Рекомендуется снимать генерируемый меандр через конденсатор, номиналом не более 680 пФ.
Короткое нажатие на кнопку - выбор следующей частоты из списка.
Удержание нажатой кнопки - выход в меню выбора функций.

Для запуска генератора ШИМ, выберите пункт "10-bit PWM (ШИМ)"
Генерируемая ШИМ, снимается со 2-го контакта панельки прибора.
Рекомендуется подключать через резистор не менее 510 Ом, дабы не перегрузить выводы микроконтроллера прибора.
Стартовое значение ШИМ с заполнением 10%.
Короткое нажатие на кнопку : + 1%
Долгое нажатие на кнопку : + 10%
Удержание нажатой кнопки - выход в меню выбора функций.

Помимо этих функций, вам также доступен некоторый набор функций, таких, как регулировка контраста дисплея, калибровка прибора (не требуется, прибор откалиброван изготовителем), ручной запуск измерений конденсаторов, сопротивлений и индуктивностей.


 

Модуль RI020. Прибор для качественной оценки радиокомпонентов Транзистор Тестер - М2.
Стартовый экран.
Версия: 7.18R
Модуль RI020. Прибор для качественной оценки радиокомпонентов Транзистор:
КТ315А
n-p-n, биполярный,
СССР, 1977 г.
Модуль RI020. Прибор для качественной оценки радиокомпонентов Транзистор:
КТ361В
p-n-p, биполярный,
СССР, 1991 г.
Модуль RI020. Прибор для качественной оценки радиокомпонентов Транзистор:
BC546B
n-p-n, биполярный
Модуль RI020. Прибор для качественной оценки радиокомпонентов Транзистор:
BD139
n-p-n, биполярный
Модуль RI020. Прибор для качественной оценки радиокомпонентов Транзистор:
2Т602Б
n-p-n, биполярный
СССР, 1989 г.
Модуль RI020. Прибор для качественной оценки радиокомпонентов Транзистор:
D13007M
n-p-n, биполярный
Модуль RI020. Прибор для качественной оценки радиокомпонентов Транзистор:
КТ372А
p-n-p, биполярный
Модуль RI020. Прибор для качественной оценки радиокомпонентов Транзистор:
1Т910АД
p-n-p, биполярный,
германиевый,
СССР, 1978 г.
Модуль RI020. Прибор для качественной оценки радиокомпонентов Транзистор:
1Т403Г
p-n-p, биполярный,
германиевый,
СССР, 1978 г.
Модуль RI020. Прибор для качественной оценки радиокомпонентов Транзистор:
BS250
p-канальный MOSFET,
с защитным диодом.
Модуль RI020. Прибор для качественной оценки радиокомпонентов Транзистор:
2N7000
n-канальный MOSFET,
с защитным диодом.
Модуль RI020. Прибор для качественной оценки радиокомпонентов Транзистор:
КП501А
n-канальный MOSFET,
с защитным диодом.
Модуль RI020. Прибор для качественной оценки радиокомпонентов Транзистор:
КП103Е
p-канальный JFET,
СССР, 1974 г.
Модуль RI020. Прибор для качественной оценки радиокомпонентов Транзистор:
КП303В
n-канальный JFET,
СССР.
Модуль RI020. Прибор для качественной оценки радиокомпонентов Диодная сборка:
SBL2045CT
2 диода "Шоттки",
с низким прямым
напряжением,
общий катод.
Модуль RI020. Прибор для качественной оценки радиокомпонентов Диодная сборка:
F20C20CT
2 быстровосст.,
выпрямительных
диода, 20А,
общий катод.
Модуль RI020. Прибор для качественной оценки радиокомпонентов Симистор:
MAC97A6
Модуль RI020. Прибор для качественной оценки радиокомпонентов Диод:
1N4148
кремниевый
Модуль RI020. Прибор для качественной оценки радиокомпонентов Диод:
1N4007
кремниевый.
Модуль RI020. Прибор для качественной оценки радиокомпонентов Диод:
1N5819
кремниевый,
"Шоттки".
Модуль RI020. Прибор для качественной оценки радиокомпонентов Диод:
Д9И
германиевый,
СССР.
Модуль RI020. Прибор для качественной оценки радиокомпонентов Резистор:
43 Ом.
Модуль RI020. Прибор для качественной оценки радиокомпонентов Резистор:
1 кОм.
Модуль RI020. Прибор для качественной оценки радиокомпонентов Резистор:
220 кОм.
Модуль RI020. Прибор для качественной оценки радиокомпонентов Резистор:
1 кОм.
подстроечный,
мнoгooборотный,
тип: 3296.
Модуль RI020. Прибор для качественной оценки радиокомпонентов Дроссель:
320 мкГн.
(0,32 мГн).
Модуль RI020. Прибор для качественной оценки радиокомпонентов Дроссель:
150 мкГн.
(0,15 мГн)
Модуль RI020. Прибор для качественной оценки радиокомпонентов Конденсатор:
180 пФ,
многослойный,
керамика: NPO.
Модуль RI020. Прибор для качественной оценки радиокомпонентов Конденсатор:
0,1 мкФ,
(100 нФ),
маркировка 104,
однослойный,
дисковый,
керамика: Y5V.
Модуль RI020. Прибор для качественной оценки радиокомпонентов Конденсатор:
0,1 мкФ,
(100 нФ),
маркировка 104,
размер 0805,
многослойный,
керамика: Y5V.
Модуль RI020. Прибор для качественной оценки радиокомпонентов Конденсатор
электролитический
(оксидный):
47,0 мкФ x 35v
Модуль RI020. Прибор для качественной оценки радиокомпонентов Конденсатор
электролитический
(оксидный):
100,0 мкФ x 25v
Модуль RI020. Прибор для качественной оценки радиокомпонентов Конденсатор
электролитический
(оксидный):
3300,0 мкФ x 6,3v
LOW ESR.
Модуль RI020. Прибор для качественной оценки радиокомпонентов Светодиод
ф 5,0 мм:
зеленый.


------------------
ЫЕК0082:2400