Модуль RI020. Прибор для качественной оценки радиокомпонентов Транзистор тестер - М2

Бренд: KitLab

Нам очень жаль, но ТОВАРА НЕТ В НАЛИЧИИ! Когда он появится - мы автоматически Вас известим об этом, стоит только прописать свой email в системе уведомления, нажав на текст Уведомить о товаре.

Уведомление о появлении товара на складе

При появлении на нашем складе данного товара, на указанный вами адрес будет выслано уведомление

Обратите внимание на близкий
по назначению товар:

	FNiRSi LCR-T4 SMD транзистор-тестер с разъемом "крона"
	Набор VDG011 Измеритель емкости и последовательного эквивалентного сопротивления электролитических конденсаторов - C/ESR-meter
	FNiRSi LCR-T4 SMD транзистор-тестер с отсеком для "кроны"

Прибор для оценки качества электронных компонентов.
Расширенная, русифицированная версия прибора.

Назначение:

Прибор "Транзистор Тестер - М2" позволяет быстро оценивать основные параметры электронных компонентов, автоматически распознаёт электронные компоненты:
Транзисторы, резисторы, конденсаторы, индуктивности, диоды, тиристоры, симисторы, светодиоды, диодные сборки и т.д,
А также, за считанные секунды автоматически определяет их цоколевку с указанием расположения выводов.
Результаты тестирования выводятся на графический ЖК индикатор с подсветкой.

"Транзистор тестер - М2" питается от батарейки "Kpoнa", напряжением 9 вольт.
При кратковременном нажатии на кнопку:

Прибор "просыпается".
Тестирует компонент, установленный в панельку.
Распознаёт компонент и выводит его параметры и расположение выводов на дисплей.
Через 15 секунд, прибор "Транзистор Тестер - М2" гасит подсветку дисплея и "засыпает".

Выключатель питания не предусмотрен.
Прибор в режиме "сна" потребляет ничтожно малый ток (несколько микроампер) и постоянно готов к работе.
Просто нажмите кнопку, и "Транзистор Тестер - М2" проверит следующий компонент.

Внимание!

При испытании электролитических конденсаторов, перед установкой конденсатора в панель прибора, разрядите конденсатор, кратковременно замкнув его выводы.

Прибор чувствителен к питанию, используйте новую, качественную "крону".

Основные функциональные отличия версий прибора:

Параметр / Модель прибора	Китайский клон "LCR-T4" (2.07)	"Транзистор Тестер" (7.15R и 7.16R)	"Транзистор Тестер - М" (7.17R)	"Транзистор Тестер - М2" (7.18R)
Транзисторы	биполярные, полевые, 2 параметра	биполярные, полевые, до 6 параметров	биполярные, полевые, до 6 параметров	биполярные, полевые, до 6 параметров
Конденсаторы: Измерение емкости.	40 пФ ... 100000 мкФ *	40 пФ ... 100000 мкФ *	1 пФ ... 100000 мкФ	1 пФ ... 100000 мкФ
Конденсаторы: Измерение ESR.	автоматически, от 0,1 мкФ	автоматически, от 0,1 мкФ	автоматически, от 0,1 мкФ	автоматически, от 0,1 мкФ
Конденсаторы: Измерение потерь (Vloss).	автоматически, от 0,1 мкФ	автоматически, от 0,1 мкФ	автоматически, от 0,1 мкФ	автоматически, от 0,1 мкФ
Резисторы	0 Ом ... 50 МОм	0 Ом ... 50 МОм	0 Ом ... 50 МОм	0 Ом ... 50 МОм
Резисторы переменные (3 выв)	0 Ом ... 50 МОм	0 Ом ... 50 МОм	0 Ом ... 50 МОм	0 Ом ... 50 МОм
Индуктивности	10 мкГн ... 20 Гн (при R<2,1 кОм) **	10 мкГн ... 20 Гн (при R<2,1 кОм) **	10 мкГн ... 20 Гн (при R<2,1 кОм) **	10 мкГн ... 20 Гн (при R<2,1 кОм) **
Диоды	+++	+++	+++	+++
Диодные сборки	+++	+++	+++	+++
Светодиоды	+++	+++	+++	+++
Тиристоры	+++	+++	+++	+++
Симисторы	+++	+++	+++	+++
Светодиоды	+++	+++	+++	+++
Генератор частот:	---	---	Меандр, 21 фиксированная частота: 1 Гц; 10 Гц; 50 Гц; 100 Гц; 250 Гц; 439 Гц; 441 Гц; 443 Гц; 1 кГц; 2,5 кГц; 5 кГц; 10 кГц; 25 кГц; 50 кГц; 100 кГц; 153,8462 кГц; 250 кГц; 500 кГц; 1 МГц; 1,33^-n МГц; 2 МГц. ***	Меандр, 21 фиксированная частота: 1 Гц; 10 Гц; 50 Гц; 100 Гц; 250 Гц; 439 Гц; 441 Гц; 443 Гц; 1 кГц; 2,5 кГц; 5 кГц; 10 кГц; 25 кГц; 50 кГц; 100 кГц; 153,8462 кГц; 250 кГц; 500 кГц; 1 МГц; 1,33^-n МГц; 2 МГц. ***
Генератор PWM (ШИМ)	---	---	Меандр, частота 7,812 кГц; заполнение от 0% до 100% ШИМ ****	Меандр, частота 7,812 кГц; заполнение от 0% до 100% ШИМ ****
Русификация	---	+++	+++	+++
Регулировка контраста ЖКИ	?	---	+++	+++
Питание схемы прибора	Стабилизатор 78L05	Стабилизатор 78L05	Стабилизатор 78L05	LDO AMS1117-5,0v
Питание ЖКИ	С нарушением спецификации, повышенным напряжением.	Безопасное.	Безопасное.	Выделенный LDO 3,3v
Крепление стекла ЖКИ	Липким слоем.	+ Дополнительная фиксация.	+ Дополнительная фиксация.	+ Дополнительная фиксация.
Защита ЖКИ при транспортировке.	?	+ Защитная пленка.	+ Защитная пленка.	+ Защитная пленка.
Сервисный Центр в России.	?	г. Москва	г. Москва	г. Москва

Примечания:
* Измерение конденсаторов менее 40 пФ возможно, при включении параллельно с дополнительным эталонным конденсатором 100 пФ.
** Измерение индуктивностей менее 10 мкГн возможно, при включении последовательно с дополнительной эталонной индуктивностью 100 мкГн.
*** Меандр, скважность =2, на тестовом выводе "2". Подключать через конденсатор не более 680 пФ.
**** Меандр, частота 7,812 кГц, на тестовом выводе "2". Избегайте перегрузки этого контакта по току, более 20 мА.

Список и значение параметров, измеряемых прибором "Транзистор Тестером - М2" (7.18R):

*NPNТранзистор:**	hFE - коэффициент усиления транзистора по току в схеме с общим эмиттером. Отношение тока базы к току коллектора. Ie - ток эмиттера, при котором производилось измерение. Ube - прямое напряжение перехода База-Эмиттер. Напряжение открывания транзистора. Uf - при наличии защитного диода - напряжение диодного перехода в прямом направлении.
*PNPТранзистор:**	hFE - коэффициент усиления транзистора по току в схеме с общим эмиттером. Отношение тока базы к току коллектора. Iс - ток коллектора, при котором производилось измерение. Ube - прямое напряжение перехода База-Эмиттер. Напряжение открывания транзистора. Uf - при наличии защитного диода - напряжение диодного перехода в прямом направлении.
N-JFET - полевой транзистор с неизолированным затвором.	Id - ток истока в mA(миллиАмперах) @(при) Vg - напряжении затвора в V(в Вольтах). Uf - при наличии защитного диода - напряжение диодного перехода в прямом направлении.
P-JFET - полевой транзистор с неизолированным затвором.	Id - ток истока в mA(миллиАмперах) @(при) Vg - напряжении затвора в V(в Вольтах). Uf - при наличии защитного диода - напряжение диодного перехода в прямом направлении.
N-E-MOS - N-канальный полевой транзистор с изолированным затвором.	Vt - напряжение открывания перехода. Cg - ёмкость затвора, pF(пикоФарады), nF(наноФарады) RDS - прямое сопротивление открытого канала D(Drain/Сток) - S(Source/Исток), выражается в Омах или долях Ома. Uf - при наличии защитного диода - напряжение диодного перехода в прямом направлении.
P-E-MOS - P-канальный полевой транзистор с изолированным затвором.	Vt - напряжение открывания перехода. Cg - ёмкость затвора, pF(пикоФарады), nF(наноФарады) RDS - прямое сопротивление открытого канала D(Drain/Сток) - S(Source/Исток), выражается в Омах или долях Ома. Uf - при наличии защитного диода - напряжение диодного перехода в прямом направлении.
Резисторы:	Сопротивление в Омах, КилоОмах или МегаОмах.
Конденсаторы:	Ёмкость конденсатора в pF(пикоФарадах), nF(наноФарадах), uF(микроФарадах) ESR - Эквивалентное Последовательное Сопротивление (ЭПС) конденсатора в Омах, или долях Ома. Vloss - специфический параметр, отображающий процент падения напряжения на обкладках конденсатора, после снятия импульса разяда. Позволяет быстро оценить качество диэлектрика (утечку тока).
Катушки индуктивности:	При измерении катушек индуктивности, два параметра в одну строку. Первый параметр: сопротивление постоянному току, значение в Омах. Второй параметр: индуктивность в mH (миллиГенри).
Диоды:	Uf - напряжение диодного перехода в прямом направлении. С - ёмкость диодного перехода в pF(пикоФарадах), nF(наноФарадах). Ir - обратный ток утечки диодного перехода, в nA(наноАмперах), uA(микроАмперах), mA(миллиАмперах).
Светодиоды:	Uf - напряжение диодного перехода в прямом направлении. С - ёмкость диодного перехода в pF(пикоФарадах), nF(наноФарадах). Ir - обратный ток утечки диодного перехода, в nA(наноАмперах), uA(микроАмперах), mA(миллиАмперах).

Меню расширенных функций для "Транзистор Тестер - М" (7.17R) и "Транзистор Тестер - М2" (7.18R):

1. Освободите панельку "Транзистор Тестер - М2" от деталей.
2. Нажмите кнопку, и дождитесь сообщения: "Отсутствует или поврежденная деталь?".
3. Нажмите и удерживайте кнопку до появления расширенного меню на дисплее.
На экране, помимо меню, в нижней строке, имеются подсказки.
Короткое нажатие на кнопку - перебор функций по кольцу.
Удержание нажатой кнопки - выбор функции.

Для запуска генератора частот - выберите эту функцию (указатель">" указывает на выбираемую функцию).
Для запуска генератора частот, нажмите и удерживайте кнопку.
После запуска генератора частот, на экран будет выведено меню выбора частот.
Генерируемая частота (меандр), снимается со 2-го контакта панельки прибора.
Рекомендуется снимать генерируемый меандр через конденсатор, номиналом не более 680 пФ.
Короткое нажатие на кнопку - выбор следующей частоты из списка.
Удержание нажатой кнопки - выход в меню выбора функций.

Для запуска генератора ШИМ, выберите пункт "10-bit PWM (ШИМ)"
Генерируемая ШИМ, снимается со 2-го контакта панельки прибора.
Рекомендуется подключать через резистор не менее 510 Ом, дабы не перегрузить выводы микроконтроллера прибора.
Стартовое значение ШИМ с заполнением 10%.
Короткое нажатие на кнопку : + 1%
Долгое нажатие на кнопку : + 10%
Удержание нажатой кнопки - выход в меню выбора функций.

Помимо этих функций, вам также доступен некоторый набор функций, таких, как регулировка контраста дисплея, калибровка прибора (не требуется, прибор откалиброван изготовителем), ручной запуск измерений конденсаторов, сопротивлений и индуктивностей.

	Транзистор Тестер - М2. Стартовый экран. Версия: 7.18R
	Транзистор: КТ315А n-p-n, биполярный, СССР, 1977 г.
	Транзистор: КТ361В p-n-p, биполярный, СССР, 1991 г.
	Транзистор: BC546B n-p-n, биполярный
	Транзистор: BD139 n-p-n, биполярный
	Транзистор: 2Т602Б n-p-n, биполярный СССР, 1989 г.
	Транзистор: D13007M n-p-n, биполярный
	Транзистор: КТ372А p-n-p, биполярный
	Транзистор: 1Т910АД p-n-p, биполярный, германиевый, СССР, 1978 г.
	Транзистор: 1Т403Г p-n-p, биполярный, германиевый, СССР, 1978 г.
	Транзистор: BS250 p-канальный MOSFET, с защитным диодом.
	Транзистор: 2N7000 n-канальный MOSFET, с защитным диодом.
	Транзистор: КП501А n-канальный MOSFET, с защитным диодом.
	Транзистор: КП103Е p-канальный JFET, СССР, 1974 г.
	Транзистор: КП303В n-канальный JFET, СССР.
	Диодная сборка: SBL2045CT 2 диода "Шоттки", с низким прямым напряжением, общий катод.
	Диодная сборка: F20C20CT 2 быстровосст., выпрямительных диода, 20А, общий катод.
	Симистор: MAC97A6
	Диод: 1N4148 кремниевый
	Диод: 1N4007 кремниевый.
	Диод: 1N5819 кремниевый, "Шоттки".
	Диод: Д9И германиевый, СССР.
	Резистор: 43 Ом.
	Резистор: 1 кОм.
	Резистор: 220 кОм.
	Резистор: 1 кОм. подстроечный, мнoгooборотный, тип: 3296.
	Дроссель: 320 мкГн. (0,32 мГн).
	Дроссель: 150 мкГн. (0,15 мГн)
	Конденсатор: 180 пФ, многослойный, керамика: NPO.
	Конденсатор: 0,1 мкФ, (100 нФ), маркировка 104, однослойный, дисковый, керамика: Y5V.
	Конденсатор: 0,1 мкФ, (100 нФ), маркировка 104, размер 0805, многослойный, керамика: Y5V.
	Конденсатор электролитический (оксидный): 47,0 мкФ x 35v
	Конденсатор электролитический (оксидный): 100,0 мкФ x 25v
	Конденсатор электролитический (оксидный): 3300,0 мкФ x 6,3v LOW ESR.
	Светодиод ф 5,0 мм: зеленый.